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牛津仪器等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD) PlasmaPro 100
客户的产品良率。 针对HBLED苟刻的化学环境要求,PlasmaPro100 Sapphire具有特殊的设计,可以在直径为200mm的晶片上进行快速和均匀的刻蚀。牛津仪器一直努力地为客户提供创新
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牛津PlasmaPro 100等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD)
功率器件的刻蚀高品质,高速率SiO2沉积,应用于光子器件金属(Nb, W)刻蚀 zei新的单晶片刻蚀技术-PlasmaPro100 Sapphire。牛津仪器致力于固态照明的技术革新,凭着在
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NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。 NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压
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NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。 NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压
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等离子体增强化学气相沉积系统CVD
多功能电感耦合等离子体增强化学气相沉积系统(CVD)是用来制备高纯、高性能固体薄膜的主要技术,主要借助微波或射频的方法将目标气体进行电离,促进化学反应在较低的温度下进行,从而在基片上沉积出所期望的
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牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备
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牛津Oxford等离子沉积机PlasmaPro 80 PECVD
。晶圆最大可达200mm。购置成本低。符合半导体行业 S2 / S8标准PlasmaPro 80是一种结构紧凑、小尺寸且使用方便的直开式系统,可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。 牛津Oxford
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德国Diener PECVD等离子体化学气相沉积设备
易燃易爆气体安全阀Gas Shower气浴电极设备外尺寸2000*600*1700mm进口真空泵组电压 3项400V 该PECVD系统可以沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、类金刚石薄膜、硬质
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GSL-PECVD-300化学气相沉积
薄膜太阳电池器件,可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备。 产品简介:GSL-PECVD-300化学气相沉积采用等离子体增强型化学气相沉积技术,基本温度低,沉积速率快,在
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NPE-4000 (A) 全自动PECVD等离子体化学气相沉积系统
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。 NPE-4000(A)全自动PECVD等离子体化学气相沉积系统,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压
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